Tipo de memoria: DDR4 3200MT/s Non-ECC Unbuffered SODIMM

Capacidad: 8GB

Configuración: 1Rx16 (1 G x 16-bit)

Tensión: 1.2V

Número de pines: 260

Latencia: CL22 (22-22-22)

Características adicionales:

Terminación dinámica y estática en-die (ODT) para señales de datos, strobe y máscara

Auto refresco de bajo consumo (LPASR)

Inversión de bus de datos (DBI)

Generación y calibración de VREFDQ en-die

EEPROM de presencia en serie (SPD) I2C

Compliantes con RoHS y libres de halógenos