Tipo de memoria: DDR4 3200MT/s Non-ECC Unbuffered SODIMM
Capacidad: 8GB
Configuración: 1Rx16 (1 G x 16-bit)
Tensión: 1.2V
Número de pines: 260
Latencia: CL22 (22-22-22)
Características adicionales:
Terminación dinámica y estática en-die (ODT) para señales de datos, strobe y máscara
Auto refresco de bajo consumo (LPASR)
Inversión de bus de datos (DBI)
Generación y calibración de VREFDQ en-die
EEPROM de presencia en serie (SPD) I2C
Compliantes con RoHS y libres de halógenos








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